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微細構造解析プラットフォーム 共用設備


共用設備 1

極低温高分解能透過電子顕微鏡 / 日本電子 JEM-2100F(G5)

    
photo of TEM  
分解能
0.2 nm
加速電圧
200 kV
ヘリウムステージ
ヘリウム保持時間:4時間
電子銃
ZrO/W(100)FEG
CCD Camera
2048x2048 pixel
特徴
試料温度を液体ヘリウム温度に保って観察が可能です。クライオトランスファー機構を備え、試料を急速冷凍後、外気にさらさずに導入可能です。CCD カメラのほか、イメージングプレートを用いた撮影が可能です。


共用設備 2

球面収差補正透過電子顕微鏡 / 日本電子 JEM-2200FS

photo of TEM
空間分解能
0.1 nm (収差補正後)
加速電圧
200 kV
電子線分光器
Ω型フィルタ / エネルギー分解能 0.8 eV
電子銃
ZrO/W(100) ショットキー電子銃
CCD Camera
2048x2048 pixel
収差補正装置
CEOS Cs 補正装置(TEMモード用)
特徴
TEM/STEM 両モードでの測定が可能です。試料加熱ホルダ、低温ホルダなど各種の試料ホルダが利用可能な汎用の分析電子顕微鏡です。


共用設備 3

モノクロメータ搭載低加速原子分解能分析電子顕微鏡 / 日本電子 JEM-ARM200F

加速電圧
200 kV, 60 kV
モノクロメータ
ダブルウィーンフィルター
球面収差補正装置
CEOS社製
エネルギーフィルター
Gatan966 QuantumERS
EDX装置
JED-2300T SDD100GV (JEOL製)
特徴
EDX による原子分解能での元素マッピング、高エネルギー分解能のEELS測定などが可能です。


共用設備 4

集束イオンビーム装置 / 日本電子 JEM-9310FIB

Gaイオン源
5~30kV
試料ステージ
TEM ホルダステージ・バルク試料ステージ
最大電流
10nA
分解能
8nm
特徴
主としてセラミックスや金属などの比較的硬い試料を Ga イオンビームで切断し、薄片化する装置です。


共用設備 5

ミクロトーム / Leica社製 ULTRACUT UCT

ステージ
クライオステージ(室温~液体窒素温度)、室温
特徴
比較的柔らかい有機物などをダイヤモンドナイフで切削して薄片化し、電子顕微鏡試料を作製する装置です。


共用設備 6

精密イオン研磨装置 / Gatan社製 Model691/PIPS

Arイオン銃
0.1~5 kV (2系統)
試料ステージ
低温ステージ(室温~液体窒素温度)
特徴
収束イオンビーム装置やディンプリング装置で作製した試料の表面を Ar イオンピームで精密研磨する装置です。主に試料作製の仕上げに使用します。


共用設備 7

ディンプリング装置 / South Bay Technology社製 D500i

特徴
比較的硬い試料をダイヤモンドペースト等を用いて研磨し、窪みを作って薄片化する装置です。主に断面試料作製に使用します。